Для расчета малосигнального режима в электронной цепи, в котором рассматриваются только переменные составляющие токов и напряжений, используются схемы замещения транзистора. В области низких и средних частот описание транзистора системой гибридных уравнений приводит к резистивной схеме рис. 14.4, а. Распространена также одногенераторная схема (рис. 14.4, б). Параметры первой схемы непосредственно выражаются через H-параметры транзистора.

Рис. 14.4

Определим связи между параметрами одногенераторной схемы и гибридными параметрами, рассматривая режим короткого замыкания на выходе () в схеме рис. 14.4, б. Входное напряжение складывается из суммы падений напряжения на R_б и параллельно включенных R_э и R_к. Сумма токов, протекающих в параллельных ветвях, равна (b + 1)İ₁, и поэтому . Так как при коротком замыкании на выходе из системы H-уравнений следует , то параметры обеих схем связаны соотношением, приведенным в табл. 14.1. Выходной ток İ₂  в рассматриваемом режиме определяется разностью . Отсюда следует, что . Поэтому выходной ток при коротком замыкании на выходе ( ) равен или . Отсюда имеем соотношение для H₂₁ (см. табл. 14.1). Две другие связи определим из рассмотрения режима холостого хода на входе. В этом случае при İ₁ = 0 ток управляемого источника в схеме на рис. 14,4, б отсутствует, и она содержит только пассивные элементы. При питании цепи со стороны выходных зажимов ток  İ₂ протекает через элементы R_к и R_э. Поэтому значение выходного тока равно , а на входе имеем напряжение, определяемое падением на R_э: . Сопоставление полученных связей с H-уравнениями в режиме холостого хода на входе: , — дает возможность определить выражения для H₁₂ и H₂₂, приведенные в Табл. 14.1.

Таблица 14.1

Обратные соотношения, выражающие параметры одногенераторной схемы через H-параметры, найдем, разрешая систему первого столбца таблицы относительно R_б, R_э, R_к и b. Это дает результаты, приведенные во втором столбце таблицы.

При пренебрежении малым параметром H₁₂ все связи существенно упрощаются, и возможно отождествление отдельных параметров одногенераторной схемы с H-параметрами. Соответствующая схема замещения показана на рис. 14.5, а.

Рис. 14.5

Учитывая соотношения между параметрами H₁₁ << 1/H₂₂, можно принять более простую модель транзистора с нулевой выходной проводимостью H₂₂ = 0 (рис. 14.5, б). В еще более приближенной модели отсутствует входное сопротивление (H₁₁ = 0). Такое идеализированное описание транзистора приводит его схему замещения к идеальному источнику тока, управляемому входным током (рис. 14.5, в).