Рассмотрим усиление малых сигналов, подаваемых от источника синусоидального напряжения Ė₀ на вход биполярного транзистора, нагруженного на комплексное сопротивление нагрузки Z_н. Пренебрежем влиянием элементов цепи, обеспечивающих смещение транзистора, — подачу на его зажимы постоянных напряжений, обеспечивающих режим в рабочей точке. Используя для биполярного транзистора схему замещения при H₁₂ = 0 (см. рис. 14.5, а), придем к схеме, изображенной на рис. 14.8.

Рис. 14.8

Так как İ₁ = Ė₀/H₁₁, а , то для напряжения на нагрузке, параллельно которой включено сопротивление 1/H₂₂, будем иметь

Поскольку ток в нагрузке равен ; то для коэффициентов усиления напряжения и тока получим

Предельное по модулю значение K_U = K_U max _max соответствует значению Z_н = ¥:

Максимальный ток в нагрузке, наоборот, получим при Z_н = 0: K_I max _max= H₂₁.

Схема для аналогичного анализа полевого транзистора изображена на рис. 14.9.

Рис. 14.9

Здесь напряжение на нагрузке

поэтому коэффициент усиления напряжения равен

Максимальное по модулю усиление напряжения имеем при Z_н = ¥, когда |K_U max _max| = S/G_i = SR_i = m, где R_i = 1/G_i — внутреннее сопротивление транзистора; m — безразмерный коэффициент усиления.